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      Samsung SSD 990 EVO 4 To

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      495,00 €
      TTC

      Le disque SSD qu'il vous faut pour des performances améliorées au quotidien

      Avec le disque SSD Samsung 990 Evo, alliez performance, efficacité énergétique et polyvalence et gardez une longueur d'avance ! 

      Quantity :
      5articles
      • Garanties sécurité

      Samsung 990 EVO Plus 4 To – SSD NVMe M.2 PCIe

      Le Samsung 990 EVO Plus 4 To est un SSD interne au format M.2 2280, conçu pour les ordinateurs compatibles NVMe.

      Il offre une capacité de 4 To permettant de stocker le système d'exploitation, les applications, les jeux et d'importants volumes de données.

      Son interface PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 associée au protocole NVMe 2.0 permet d'atteindre jusqu'à 7 250 Mo/s en lecture séquentielle.

      La référence constructeur du modèle 4 To est MZ-V9S4T0BW.

      Samsung 990 EVO Plus 4 To SSD NVMe M.2

      4 To de stockage haute vitesse

      Avec une capacité de 4 To, le 990 EVO Plus offre un espace important pour les applications, jeux, vidéos et fichiers volumineux.

      Cette capacité convient notamment aux utilisateurs souhaitant réunir système et stockage sur un seul SSD rapide.

      La capacité réellement disponible après formatage est inférieure à la capacité commerciale annoncée.

      Jusqu'à 7 250 Mo/s en lecture

      Samsung annonce une vitesse de lecture séquentielle pouvant atteindre 7 250 Mo/s.

      La vitesse d'écriture séquentielle peut atteindre 6 300 Mo/s.

      Les performances réelles peuvent varier selon la carte mère, le processeur, la configuration PCIe, le firmware et les conditions d'utilisation.

      Samsung 990 EVO Plus 4 To jusqu'à 7250 Mo/s
      Samsung 990 EVO Plus 4 To format M.2 2280

      Format M.2 2280

      Le 990 EVO Plus adopte le format standard M.2 2280.

      Ses dimensions maximales sont d'environ 80,15 × 22,15 × 2,38 mm.

      Son poids est inférieur ou égal à environ 9 grammes, ce qui permet son intégration dans de nombreux PC fixes et portables compatibles.

      PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.0 x2

      Le Samsung 990 EVO Plus prend en charge les interfaces PCIe 4.0 x4 et PCIe 5.0 x2.

      Il utilise le protocole NVMe 2.0 pour communiquer avec l'ordinateur.

      Il est également rétrocompatible avec une connexion PCIe 3.0 x4, avec des performances limitées par l'interface utilisée.

      Samsung 990 EVO Plus PCIe 4.0 x4 PCIe 5.0 x2
      Samsung 990 EVO Plus mémoire V-NAND TLC

      Mémoire Samsung V-NAND TLC

      Le SSD utilise de la mémoire Samsung V-NAND TLC.

      Son contrôleur est également développé directement par Samsung.

      Cette association permet à Samsung d'optimiser le fonctionnement du contrôleur, de la mémoire flash et du firmware.

      Host Memory Buffer

      Le 990 EVO Plus utilise la technologie HMB – Host Memory Buffer.

      Le SSD peut ainsi utiliser une petite partie de la mémoire vive de l'ordinateur pour certaines opérations internes.

      Cette conception permet au SSD de fonctionner sans mémoire DRAM dédiée sur le module.

      Samsung 990 EVO Plus Host Memory Buffer HMB
      Samsung 990 EVO Plus Intelligent TurboWrite 2.0

      Intelligent TurboWrite 2.0

      Samsung intègre la technologie Intelligent TurboWrite 2.0.

      Elle permet d'accélérer les opérations d'écriture dans certaines conditions grâce à une zone de cache dynamique.

      Cette fonction est particulièrement utile lors de transferts ou de traitements de fichiers volumineux.

      Jusqu'à 1,4 million d'IOPS

      Sur le modèle 4 To, Samsung annonce jusqu'à 1 050 000 IOPS en lecture aléatoire.

      Les écritures aléatoires peuvent atteindre 1 400 000 IOPS.

      Ces valeurs maximales sont mesurées dans des conditions de test spécifiques et peuvent varier selon la configuration.

      Samsung 990 EVO Plus 4 To performances IOPS
      Samsung 990 EVO Plus 4 To endurance 2400 TBW

      Endurance jusqu'à 2 400 TBW

      Samsung annonce pour la version 4 To une endurance de 2 400 TBW.

      TBW signifie Terabytes Written et représente la quantité de données écrites utilisée dans les conditions de garantie du SSD.

      Samsung indique également un MTBF de 1,5 million d'heures.

      Samsung Magician

      Le 990 EVO Plus est compatible avec le logiciel Samsung Magician.

      Ce logiciel permet notamment de surveiller l'état du SSD, de consulter différentes informations techniques et d'effectuer les mises à jour disponibles.

      Samsung Magician propose également différents outils de gestion et d'optimisation du SSD.

      Samsung 990 EVO Plus 4 To Samsung Magician

      Caractéristiques techniques

      • Marque : Samsung
      • Gamme : 990 EVO Plus
      • Référence : MZ-V9S4T0BW
      • Capacité : 4 To
      • Type : SSD interne NVMe
      • Format : M.2 2280
      • Interface : PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2
      • Protocole : NVMe 2.0
      • Mémoire : Samsung V-NAND TLC
      • Cache : HMB

      Performances

      • Lecture séquentielle : jusqu'à 7 250 Mo/s
      • Écriture séquentielle : jusqu'à 6 300 Mo/s
      • Lecture aléatoire : jusqu'à 1 050 000 IOPS
      • Écriture aléatoire : jusqu'à 1 400 000 IOPS

      Technologies et fonctions

      • Intelligent TurboWrite 2.0 : oui
      • TRIM : oui
      • S.M.A.R.T. : oui
      • Garbage Collection : oui
      • Samsung Magician : compatible
      • HMB : oui
      • Mode veille : oui
      • WWN : non supporté

      Sécurité des données

      • Chiffrement AES : 256 bits
      • TCG / Opal : pris en charge
      • Encrypted Drive : IEEE1667
      • S.M.A.R.T. : surveillance prise en charge

      Consommation électrique

      • Lecture active moyenne : 5,5 W
      • Écriture active moyenne : 4,8 W
      • Veille PS3 : environ 60 mW
      • Veille PS4 / L1.2 : environ 5 mW

      Dimensions et poids

      • Longueur : max. 80,15 mm
      • Largeur : max. 22,15 mm
      • Épaisseur : max. 2,38 mm
      • Poids : max. 9 g

      Fiabilité et endurance

      • Endurance : 2 400 TBW
      • MTBF : 1,5 million d'heures
      • Garantie limitée : 5 ans
      • Température de fonctionnement : 0 à 70 °C
      • Température hors fonctionnement : -40 à 85 °C
      • Humidité : 5 à 95 %, sans condensation

      Résistance

      • Chocs hors fonctionnement : 1 500 G / 0,5 ms
      • Axes : 3 axes
      • Vibrations hors fonctionnement : 20 G
      • Plage : 20 à 2 000 Hz

      À savoir avant l'achat

      La page Grenoble Informatique est actuellement intitulée Samsung SSD 990 EVO 4 To.

      Cependant, les photographies de cette fiche montrent clairement un Samsung 990 EVO Plus 4 To.

      Samsung référence officiellement le modèle 4 To sous le numéro MZ-V9S4T0BW.

      Le 990 EVO d'origine était proposé officiellement en capacités 1 To et 2 To, avec des performances allant jusqu'à 5 000 Mo/s en lecture et 4 200 Mo/s en écriture.

      Le véritable 990 EVO Plus 4 To monte quant à lui jusqu'à 7 250 Mo/s en lecture et 6 300 Mo/s en écriture.

      Avant expédition ou mise en vente, il est donc conseillé de vérifier l'étiquette du produit physique : la référence attendue pour le 990 EVO Plus 4 To est MZ-V9S4T0BW.

      Pour bénéficier des performances maximales, la carte mère doit disposer d'un emplacement M.2 NVMe compatible PCIe avec les lignes nécessaires.

      Sur une interface plus ancienne, le SSD peut fonctionner mais ses performances peuvent être limitées par la bande passante disponible.

      Caractéristiques principales

      • Fabricant : Samsung
      • Produit : 990 EVO Plus
      • Capacité : 4 To
      • Format : M.2 2280
      • Interface : PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2
      • NVMe : 2.0
      • Lecture : jusqu'à 7 250 Mo/s
      • Écriture : jusqu'à 6 300 Mo/s

      Informations produit

      Marque : Samsung

      Modèle : 990 EVO Plus

      Référence : MZ-V9S4T0BW

      Catégorie : SSD interne NVMe

      Capacité : 4 To

      Mémoire : Samsung V-NAND TLC

      Samsung 990 EVO Plus 4 To – SSD NVMe M.2

      Samsung 990 EVO Plus 4 To MZ-V9S4T0BW
      Samsung
      MZ-V9E4TOBW
      5 Produits

      Fiche technique

      Hauteur
      2.38 mm
      Largeur
      22.15 mm
      Profondeur
      80.15 mm
      Poids
      9 g
      Interface avec l'ordinateur
      M.2-PCI-E 4.0 4x
      M.2-PCI-E 5.0 x2
      NVMe
      Oui
      Vitesse en lecture
      5000 Mo/s
      Vitesse en écriture
      4200 Mo/s
      IOPS en lecture
      680000
      IOPS en écriture
      800000
      Format de disque
      M.2 / M.2 2280
      Type de mémoire flash
      TLC (Triple-level Cell)
      Compatible TRIM
      Oui

      Références spécifiques

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